casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE685M13-A
codice articolo del costruttore | NE685M13-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE685M13-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE685M13-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Frequenza - Transizione | 12GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 140mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M13 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE685M13-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE685M13-A-FT |
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
MS1337
Microsemi Corporation
MS1406
Microsemi Corporation
MS1579
Microsemi Corporation
MS1612
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4008E-4PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68A
Microsemi Corporation
EP20K200FI484-2N
Intel
10AX032H4F34I3SG
Intel
XC5VFX30T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19A7N
Intel