casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE681M03-T1-A
codice articolo del costruttore | NE681M03-T1-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE681M03-T1-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE681M03-T1-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 125mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-623F |
Pacchetto dispositivo fornitore | M03 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE681M03-T1-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE681M03-T1-A-FT |
MS1019
Microsemi Corporation
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-2N
Intel
LCMXO640C-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
5CGXBC9D7F27C8N
Intel
EP2C50F672C6N
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel
LCMXO2-2000ZE-3BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation