casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE681M03-T1-A
codice articolo del costruttore | NE681M03-T1-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE681M03-T1-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE681M03-T1-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 125mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-623F |
Pacchetto dispositivo fornitore | M03 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE681M03-T1-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE681M03-T1-A-FT |
MS1019
Microsemi Corporation
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel