casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / NE651R479A-A
codice articolo del costruttore | NE651R479A-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE651R479A-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE651R479A-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | HFET |
Frequenza | 1.9GHz |
Guadagno | 12dB |
Tensione - Test | 3.5V |
Valutazione attuale | 1A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 50mA |
Potenza - Uscita | 27dBm |
Tensione: nominale | 8V |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 79A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE651R479A-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE651R479A-A-FT |
MRF6S19100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S9125NR1
NXP USA Inc.
MRF6V2300NR1
NXP USA Inc.
MRF6V2300NR5
NXP USA Inc.
MRF6V3090NR5
NXP USA Inc.
MRF6V4300NR1
NXP USA Inc.
MRF6V4300NR5
NXP USA Inc.
MRF7S19100NR1
NXP USA Inc.
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
XC4010XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4N
Intel
EP3C120F780C7N
Intel
EP4CE40F29I7
Intel
EP1S30F780I6N
Intel