casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / NE5550779A-A
codice articolo del costruttore | NE5550779A-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE5550779A-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE5550779A-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 900MHz |
Guadagno | 22dB |
Tensione - Test | 7.5V |
Valutazione attuale | 2.1A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 140mA |
Potenza - Uscita | 38.5dBm |
Tensione: nominale | 30V |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 79A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE5550779A-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE5550779A-A-FT |
MRF5S9100NR1
NXP USA Inc.
MRF5S9101MR1
NXP USA Inc.
MRF5S9101NR1
NXP USA Inc.
MRF6S18060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S18100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21060NR1
NXP USA Inc.
MRF6S21100NR1
NXP USA Inc.
MRF6S9125NR1
NXP USA Inc.
LCMXO2-640ZE-2TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP2-5FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-3
Intel
XC7K480T-L2FFG901E
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84M
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I2SG
Intel
5AGTFC7H3F35I3N
Intel
EP3C25Q240C8
Intel