casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE46134-T1-QR-AZ
codice articolo del costruttore | NE46134-T1-QR-AZ |
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Numero di parte futuro | FT-NE46134-T1-QR-AZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE46134-T1-QR-AZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 5.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Guadagno | 7dB |
Potenza - Max | 2W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE46134-T1-QR-AZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE46134-T1-QR-AZ-FT |
MS1003
Microsemi Corporation
MS1004
Microsemi Corporation
MS1006
Microsemi Corporation
MS1007
Microsemi Corporation
MS1008
Microsemi Corporation
MS1014
Microsemi Corporation
MS1015D
Microsemi Corporation
MS1019
Microsemi Corporation
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A42MX24-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C55F484C7N
Intel
EP4CE15F17C7N
Intel
10CL010YE144I7G
Intel
5SGXMA4K2F35C1N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I4SGES
Intel