casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / NE3516S02-A
codice articolo del costruttore | NE3516S02-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE3516S02-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE3516S02-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | N-Channel GaAs HJ-FET |
Frequenza | 12GHz |
Guadagno | 14dB |
Tensione - Test | 2V |
Valutazione attuale | 60mA |
Figura di rumore | 0.35dB |
Corrente - Test | 10mA |
Potenza - Uscita | 165mW |
Tensione: nominale | 4V |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | S02 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE3516S02-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE3516S02-A-FT |
SD2932
STMicroelectronics
SD2932B
STMicroelectronics
SD2942
STMicroelectronics
SD2903
STMicroelectronics
SD2933W
STMicroelectronics
SD2943W
STMicroelectronics
SD4933MR
STMicroelectronics
SD3933
STMicroelectronics
SD4933
STMicroelectronics
SD2933
STMicroelectronics
EP4CE15F23C6
Intel
EP1S10F484C5
Intel
EP4SE360H29I3N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
XC7K325T-1FF900I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6F23I7N
Intel
10AX115N3F45E2LG
Intel
EP4SGX530HH35I4
Intel