casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / NE25139-T1
codice articolo del costruttore | NE25139-T1 |
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Numero di parte futuro | FT-NE25139-T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE25139-T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | MESFET Dual Gate |
Frequenza | 900MHz |
Guadagno | 20dB |
Tensione - Test | 5V |
Valutazione attuale | 40mA |
Figura di rumore | 1.1dB |
Corrente - Test | 10mA |
Potenza - Uscita | - |
Tensione: nominale | 13V |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE25139-T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE25139-T1-FT |
PTFA082201FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA091201FV4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA091201FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA091201HL V1
Infineon Technologies
PTFA091201HL V1 R250
Infineon Technologies
PTFA092201F V1
Infineon Technologies
PTFA092201FV4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA092201FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA092211FLV4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA092211FLV4XWSA1
Infineon Technologies
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel