codice articolo del costruttore | NDT456P |
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Numero di parte futuro | FT-NDT456P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDT456P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDT456P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDT456P-FT |
FDWS9508L-F085
ON Semiconductor
FDMS86580-F085
ON Semiconductor
FDMS5362L-F085
ON Semiconductor
FDMS9408-F085
ON Semiconductor
FDMS9409-F085
ON Semiconductor
FDMS9410-F085
ON Semiconductor
FDMS9411-F085
ON Semiconductor
FDMS9411L-F085
ON Semiconductor
FDWS5360L-F085
ON Semiconductor
FDWS9508L_F085
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel