casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NDT18PFH-9MET
codice articolo del costruttore | NDT18PFH-9MET |
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Numero di parte futuro | FT-NDT18PFH-9MET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDT18PFH-9MET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDT18PFH-9MET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDT18PFH-9MET-FT |
IDT71V35761SA200BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel