codice articolo del costruttore | NDH832P |
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Numero di parte futuro | FT-NDH832P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDH832P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-8 |
Pacchetto / caso | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDH832P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDH832P-FT |
JANTX2N6762
Microsemi Corporation
JANTX2N6764
Microsemi Corporation
JANTX2N6764T1
Microsemi Corporation
JANTX2N6766
Microsemi Corporation
JANTX2N6766T1
Microsemi Corporation
JANTX2N6768
Microsemi Corporation
JANTX2N6768T1
Microsemi Corporation
JANTX2N6770
Microsemi Corporation
JANTX2N6770T1
Microsemi Corporation
JANTX2N6784
Microsemi Corporation
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation