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codice articolo del costruttore | NCS20092DR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NCS20092DR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NCS20092DR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di amplificatore | General Purpose |
Numero di circuiti | 2 |
Tipo di uscita | Rail-to-Rail |
Velocità di risposta | 0.17V/µs |
Ottieni il prodotto larghezza di banda | 350kHz |
-3 dB di larghezza di banda | - |
Corrente - Input Bias | 1pA |
Voltage - Input Offset | 500µV |
Corrente - Fornitura | 23µA |
Corrente - Uscita / Canale | 8.5mA |
Tensione - Alimentazione, singola / doppia (±) | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NCS20092DR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NCS20092DR2G-FT |
NCV20091SN2T1G
ON Semiconductor
NCS2003ASN2T1G
ON Semiconductor
NCV20081SN2T1G
ON Semiconductor
NCS2001SN2T1G
ON Semiconductor
LM321SN3T1G
ON Semiconductor
TLV271SN2T1G
ON Semiconductor
LMV321SN3T1G
ON Semiconductor
NCS2001SN1T1G
ON Semiconductor
NCV2001SN2T1G
ON Semiconductor
NCS2005SN1T1G
ON Semiconductor
XC2S150-5PQG208C
Xilinx Inc.
EPF10K30EFC256-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
EP3SL200F1517I3
Intel
EP4SGX360KF43C3
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29I5N
Intel
EP1S80F1508C6
Intel