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ON Semiconductor NCP81075DR2G

Numero parte MFG
NCP81075DR2G
quantità disponibile
28520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.8424
Il nostro prezzo
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
PMIC - Gate Driver
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NCP81075DR2G specificazioni

codice articolo del costruttore NCP81075DR2G
Numero di parte futuro FT-NCP81075DR2G
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NCP81075DR2G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Configurazione guidata High-Side or Low-Side
Tipo di canale Independent
Numero di driver 2
Gate Type N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura 8.5V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) 4A, 4A
Tipo di input Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) 200V
Rise / Fall Time (Typ) 8ns, 7ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 140°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NCP81075DR2G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NCP81075DR2G-FT

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