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codice articolo del costruttore | NBPLANN100PGUNV |
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Numero di parte futuro | FT-NBPLANN100PGUNV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NBP |
NBPLANN100PGUNV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di pressione | Board Mount |
Pressione di esercizio | Vented Gauge |
Tipo di uscita | 100PSI (689.48kPa) |
Produzione | Wheatstone Bridge |
Precisione | 0 mV ~ 86 mV (5V) |
Tensione - Fornitura | ±0.25% |
Dimensione della porta | 1.8V ~ 12V |
Stile portuale | Male - 0.11" (2.74mm) Tube |
Caratteristiche | Barbed |
Stile di terminazione | - |
Pressione massima | SMD (SMT) Tab |
temperatura di esercizio | 240PSI (1654.74kPa) |
Pacchetto / caso | -40°C ~ 125°C |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD, No Lead, Top Port |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NBPLANN100PGUNV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NBPLANN100PGUNV-FT |
NSCDANN100PAUNV
Honeywell Sensing and Productivity Solutions
NSCDANN001PGUNV
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NSCDANN030PAUNV
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NSCDANN020NGUNV
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XC2S15-5TQ144I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
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U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
5SGXMA7N2F40C2
Intel
EP3SL340H1152C4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35E2LG
Intel