casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NAND512R3A2DZA6E
codice articolo del costruttore | NAND512R3A2DZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-NAND512R3A2DZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512R3A2DZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50ns |
Tempo di accesso | 50ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2DZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NAND512R3A2DZA6E-FT |
M93C76-MN6P
STMicroelectronics
M93C76-MN6TP
STMicroelectronics
M93C76-WMN6P
STMicroelectronics
M93C76-WMN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6
STMicroelectronics
M93C86-MN6P
STMicroelectronics
M93C86-MN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6TP
STMicroelectronics
M93C86-WMN6
STMicroelectronics
M93S46-MN6T
STMicroelectronics
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel