casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NAND256R3A2BZA6E

| codice articolo del costruttore | NAND256R3A2BZA6E |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NAND256R3A2BZA6E |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NAND256R3A2BZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50ns |
| Tempo di accesso | 50ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 55-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 55-VFBGA (8x10) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NAND256R3A2BZA6E Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NAND256R3A2BZA6E-FT |

N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.

N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.

N25Q064A13E14D0E
Micron Technology Inc.

N25Q064A13E14D1E
Micron Technology Inc.

N25Q064A13E14D1F TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13E5340F TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13ESE40R01 TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13ESE4MF TR
Micron Technology Inc.

XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.

XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.

XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.

A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation

LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2C8F256C7
Intel

5SGXEB6R2F40C2L
Intel

EP4CGX15BF14C7N
Intel

XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.

EP1S30F1020C7N
Intel