casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NAND256R3A2BZA6E
codice articolo del costruttore | NAND256R3A2BZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-NAND256R3A2BZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND256R3A2BZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50ns |
Tempo di accesso | 50ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 55-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 55-VFBGA (8x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND256R3A2BZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NAND256R3A2BZA6E-FT |
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40R01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE4MF TR
Micron Technology Inc.