casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NAND128W3AABN6E
codice articolo del costruttore | NAND128W3AABN6E |
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Numero di parte futuro | FT-NAND128W3AABN6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND128W3AABN6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50ns |
Tempo di accesso | 50ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND128W3AABN6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NAND128W3AABN6E-FT |
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2P-7:G
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2P-7:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-6:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7:G
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-6 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-7 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-7 TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel