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Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DZA6E

Name: NAND02GW3B2DZA6E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: NAND02GW3B2DZA6E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (493 reviews)

Numero parte MFG: NAND02GW3B2DZA6E

quantità disponibile: 66630 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Micron Technology Inc.

Breve descrizione: - IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NAND02GW3B2DZA6E.pdf

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NAND02GW3B2DZA6E specificazioni

codice articolo del costruttore	NAND02GW3B2DZA6E
Numero di parte futuro	FT-NAND02GW3B2DZA6E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NAND02GW3B2DZA6E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Dimensione della memoria	2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	63-VFBGA (9.5x12)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND02GW3B2DZA6E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NAND02GW3B2DZA6E-FT

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