casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N2M400GDB321A3CE
codice articolo del costruttore | N2M400GDB321A3CE |
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Numero di parte futuro | FT-N2M400GDB321A3CE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N2M400GDB321A3CE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frequenza di clock | 52MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | MMC |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N2M400GDB321A3CE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N2M400GDB321A3CE-FT |
N25Q032A13EF440E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF4A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESE40F
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV741
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel