casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N25W256A11EF840F TR
codice articolo del costruttore | N25W256A11EF840F TR |
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Numero di parte futuro | FT-N25W256A11EF840F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25W256A11EF840F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (64M x 4) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-LBGA (14x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25W256A11EF840F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N25W256A11EF840F TR-FT |
N25Q016A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q016A11EV7A0
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF440E
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF440F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF440E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF4A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESE40F
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel