casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N25Q032A13ESEC0F TR
codice articolo del costruttore | N25Q032A13ESEC0F TR |
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Numero di parte futuro | FT-N25Q032A13ESEC0F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q032A13ESEC0F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 32Mb (8M x 4) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q032A13ESEC0F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N25Q032A13ESEC0F TR-FT |
M25P80-VMN3TP/4 TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6PBA
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6G
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TGBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6P
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel