casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N25Q032A13ESE40E
codice articolo del costruttore | N25Q032A13ESE40E |
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Numero di parte futuro | FT-N25Q032A13ESE40E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q032A13ESE40E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 32Mb (8M x 4) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q032A13ESE40E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N25Q032A13ESE40E-FT |
M25P40-VMN6YPB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMW6GB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMW6TGB TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN3PB
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN3TP/4 TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6PBA
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel