casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / N06DB1R0M
codice articolo del costruttore | N06DB1R0M |
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Numero di parte futuro | FT-N06DB1R0M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N |
N06DB1R0M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 21 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 87MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.126" (3.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N06DB1R0M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N06DB1R0M-FT |
MS75101-4BH
Vishay Dale
MS75101-4RU
Vishay Dale
MS75101-4SH
Vishay Dale
MS75101-4ST
Vishay Dale
MS75101-5BH
Vishay Dale
MS75101-5RU
Vishay Dale
MS75101-5SH
Vishay Dale
MS75101-5ST
Vishay Dale
MS75101-6BH
Vishay Dale
MS75101-7BH
Vishay Dale
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel