casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / N05DB1R5M
codice articolo del costruttore | N05DB1R5M |
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Numero di parte futuro | FT-N05DB1R5M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | N |
N05DB1R5M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 25 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 69MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.240" L x 0.232" W (6.10mm x 5.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.110" (2.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N05DB1R5M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N05DB1R5M-FT |
MS75101-11RR
Vishay Dale
MS75101-11RU
Vishay Dale
MS75101-11SH
Vishay Dale
MS75101-11ST
Vishay Dale
MS75101-12BH
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MS75101-12RU
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MS75101-12SH
Vishay Dale
MS75101-12ST
Vishay Dale
MS75101-1BH
Vishay Dale
MS75101-1RU
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel