casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MXLSMBJ18AE3
codice articolo del costruttore | MXLSMBJ18AE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MXLSMBJ18AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMBJ18AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 18V |
Voltage - Breakdown (Min) | 20V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 29.2V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 20.5A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMBJ18AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MXLSMBJ18AE3-FT |
MSMBJ2K3.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.0E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.3E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.0E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.5
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.5E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K5.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K5.0E3
Microsemi Corporation
XC4013XL-09HT144C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP10C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel