casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MXLSMBJ18AE3
codice articolo del costruttore | MXLSMBJ18AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MXLSMBJ18AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMBJ18AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 18V |
Voltage - Breakdown (Min) | 20V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 29.2V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 20.5A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMBJ18AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MXLSMBJ18AE3-FT |
MSMBJ2K3.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.0E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K3.3E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.0E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.5
Microsemi Corporation
MSMBJ2K4.5E3
Microsemi Corporation
MSMBJ2K5.0
Microsemi Corporation
MSMBJ2K5.0E3
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel