casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MXLPLAD18KP8.0AE3
codice articolo del costruttore | MXLPLAD18KP8.0AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MXLPLAD18KP8.0AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLPLAD18KP8.0AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 8V |
Voltage - Breakdown (Min) | 8.89V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 13.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 1324A (1.324kA) |
Potenza - Peak Pulse | 18000W (18kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLAD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLPLAD18KP8.0AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MXLPLAD18KP8.0AE3-FT |
MXLPLAD18KP170AE3
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP170CA
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP170CAE3
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP17AE3
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP17CA
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP17CAE3
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP180A
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP180AE3
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP180CA
Microsemi Corporation
MXLPLAD18KP180CAE3
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation