casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria - Controller / MXD1210ESA+T
codice articolo del costruttore | MXD1210ESA+T |
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Numero di parte futuro | FT-MXD1210ESA+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MXD1210ESA+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di controller | Nonvolatile RAM |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXD1210ESA+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MXD1210ESA+T-FT |
BQ2204APN
Texas Instruments
MXD1210CPA+
Maxim Integrated
DS1314+
Maxim Integrated
MXD1210EPA+
Maxim Integrated
DS1218+
Maxim Integrated
DS1312+
Maxim Integrated
BQ2201PN
Texas Instruments
BQ2201PNG4
Texas Instruments
DS1210
Maxim Integrated
DS1210N
Maxim Integrated
AGLN125V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C6
Intel
EP4CE15F17C8
Intel
5SGXMA5N2F40C1N
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
A54SX16A-TQ100A
Microsemi Corporation
LFXP20C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP3C40Q240C8
Intel
EP4SGX360FF35I4
Intel