casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria - Controller / MXD1210ESA+T
codice articolo del costruttore | MXD1210ESA+T |
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Numero di parte futuro | FT-MXD1210ESA+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MXD1210ESA+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di controller | Nonvolatile RAM |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXD1210ESA+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MXD1210ESA+T-FT |
BQ2204APN
Texas Instruments
MXD1210CPA+
Maxim Integrated
DS1314+
Maxim Integrated
MXD1210EPA+
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DS1312+
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BQ2201PN
Texas Instruments
BQ2201PNG4
Texas Instruments
DS1210
Maxim Integrated
DS1210N
Maxim Integrated
XC2S50-5FGG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2CQC
Microchip Technology
XC7K325T-2FF900C
Xilinx Inc.
LFEC20E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX35DF780I6
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel