casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / MX2N5116
codice articolo del costruttore | MX2N5116 |
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Numero di parte futuro | FT-MX2N5116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MX2N5116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 4V @ 1nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Resistenza - RDS (On) | 175 Ohms |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX2N5116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX2N5116-FT |
2N5115-E3
Vishay Siliconix
2N5115JAN02
Vishay Siliconix
2N5115JTVL02
Vishay Siliconix
2N5115JTX02
Vishay Siliconix
2N5115JTXL02
Vishay Siliconix
2N5115JTXV02
Vishay Siliconix
2N5116-E3
Vishay Siliconix
2N5116JAN02
Vishay Siliconix
2N5116JTXV02
Vishay Siliconix
2N5116UB
Microsemi Corporation
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I4
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation