casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25V8006EZNI-13G
codice articolo del costruttore | MX25V8006EZNI-13G |
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Numero di parte futuro | FT-MX25V8006EZNI-13G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx05/06 |
MX25V8006EZNI-13G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | 75MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 300µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.35V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25V8006EZNI-13G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25V8006EZNI-13G-FT |
DS28E04S-100+
Maxim Integrated
DS28E04S-100+T
Maxim Integrated
DS28CZ04G-4+
Maxim Integrated
DS28CZ04G-4+T
Maxim Integrated
MX25U8033EBAI-12G
Macronix
MX25L25645GXDI-08G
Macronix
MX25L12845GXCI-08G
Macronix
MX25L12845GXDI-08G
Macronix
MX25L12855FXCI-10G
Macronix
MX25L12855FXDI-10G
Macronix
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel