casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25R1635FM2IH1
codice articolo del costruttore | MX25R1635FM2IH1 |
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Numero di parte futuro | FT-MX25R1635FM2IH1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MXSMIO™ |
MX25R1635FM2IH1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100µs, 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25R1635FM2IH1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25R1635FM2IH1-FT |
W25X40CLSSIG TR
Winbond Electronics
GD25Q32CVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE32CVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25P16VSSIG
Winbond Electronics
W25P16VSSIG T&R
Winbond Electronics
W25P80VSSIG
Winbond Electronics
W25P80VSSIG T&R
Winbond Electronics
W25Q128FVSIF
Winbond Electronics
W25Q128FVSIF TR
Winbond Electronics
W25Q128FVSIG
Winbond Electronics
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel