casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25L8006EM2I-12G
codice articolo del costruttore | MX25L8006EM2I-12G |
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Numero di parte futuro | FT-MX25L8006EM2I-12G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx05/06 |
MX25L8006EM2I-12G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | 86MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L8006EM2I-12G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25L8006EM2I-12G-FT |
W25Q64JVSSIM TR
Winbond Electronics
W25Q16FWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q80DVSSIG
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIG
Winbond Electronics
W25Q128FWSIG
Winbond Electronics
W25Q64JVSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSSIG
Winbond Electronics
W25Q128FWSIG TR
Winbond Electronics
W25Q16FWSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVSSIQ TR
Winbond Electronics
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel