casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25L6475EM2I-10G
codice articolo del costruttore | MX25L6475EM2I-10G |
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Numero di parte futuro | FT-MX25L6475EM2I-10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MXSMIO™ |
MX25L6475EM2I-10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L6475EM2I-10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25L6475EM2I-10G-FT |
GD25LQ10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
25LC512-I/SM
Microchip Technology
24FC512-I/SM
Microchip Technology
SST26VF016B-104I/SM
Microchip Technology
BR24C02-MN6TP
Rohm Semiconductor
BR24C16-MN6TP
Rohm Semiconductor
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel