casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25L6435EM2I-10G
codice articolo del costruttore | MX25L6435EM2I-10G |
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Numero di parte futuro | FT-MX25L6435EM2I-10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ |
MX25L6435EM2I-10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 300µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L6435EM2I-10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25L6435EM2I-10G-FT |
M25P20S-VMN6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW3GB
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW3GB TR
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW3TGB TR
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW6G
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW6GBA
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW6TGBA TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN3PB
Micron Technology Inc.
M25P40-VMN3TP/X TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation