casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25L25673GM2I-10G
codice articolo del costruttore | MX25L25673GM2I-10G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MX25L25673GM2I-10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MXSMIO™ |
MX25L25673GM2I-10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 30µs, 750µs |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L25673GM2I-10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25L25673GM2I-10G-FT |
M25P20-VMN6
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6PB
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6PBA
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6T TR
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P20-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25P20S-VMN6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW3GB
Micron Technology Inc.
M25P32-VMW3GB TR
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel