casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MX1N8175US
codice articolo del costruttore | MX1N8175US |
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Numero di parte futuro | FT-MX1N8175US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MX1N8175US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX1N8175US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX1N8175US-FT |
MX1.5KE350CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE36A
Microsemi Corporation
MX1.5KE36AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE36CA
Microsemi Corporation
MX1.5KE36CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE39A
Microsemi Corporation
MX1.5KE39AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE39CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE400AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE400CA
Microsemi Corporation
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel