casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MX1N8172US
codice articolo del costruttore | MX1N8172US |
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Numero di parte futuro | FT-MX1N8172US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MX1N8172US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX1N8172US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX1N8172US-FT |
MX1.5KE33A
Microsemi Corporation
MX1.5KE33AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE33CA
Microsemi Corporation
MX1.5KE33CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE350AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE350CA
Microsemi Corporation
MX1.5KE350CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE36A
Microsemi Corporation
MX1.5KE36AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE36CA
Microsemi Corporation
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
10CL080YF484I7G
Intel
EP3SL50F484I4LN
Intel
EP3CLS100U484C7N
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I4SGES
Intel