casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MX1N8158US
codice articolo del costruttore | MX1N8158US |
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Numero di parte futuro | FT-MX1N8158US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MX1N8158US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX1N8158US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX1N8158US-FT |
MX1.5KE200CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE20A
Microsemi Corporation
MX1.5KE20AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE20CA
Microsemi Corporation
MX1.5KE20CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE220AE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE220CA
Microsemi Corporation
MX1.5KE220CAE3
Microsemi Corporation
MX1.5KE22A
Microsemi Corporation
MX1.5KE22AE3
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23C8
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
XC7K160T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP20K200CB652C8
Intel