casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MWI75-12T8T
codice articolo del costruttore | MWI75-12T8T |
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Numero di parte futuro | FT-MWI75-12T8T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MWI75-12T8T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Potenza - Max | 360W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.35nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI75-12T8T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MWI75-12T8T-FT |
FF600R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4B73BPSA1
Infineon Technologies
FF600R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF800R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF800R12KF4
Infineon Technologies
FF800R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RPB11BPSA1
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FT150R12KE3GB4BDLA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
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XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA9K3H40C2LN
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LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
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5SGXEA3H3F35I3L
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5SGXMA3H2F35I3N
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