casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MWI75-12T7T
codice articolo del costruttore | MWI75-12T7T |
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Numero di parte futuro | FT-MWI75-12T7T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MWI75-12T7T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Potenza - Max | 355W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 4mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.35nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI75-12T7T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MWI75-12T7T-FT |
FF450R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4B73BPSA1
Infineon Technologies
FF600R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF800R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF800R12KF4
Infineon Technologies
FF800R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RPB11BPSA1
Infineon Technologies
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F484C7N
Intel
EP1K30FC256-3AA
Intel
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
10M08SAM153I7G
Intel