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ON Semiconductor MVSF2N02ELT1G

Name: MVSF2N02ELT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MVSF2N02ELT1G
Price: 0.184688 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (312 reviews)

Numero parte MFG: MVSF2N02ELT1G

quantità disponibile: 61440 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.184688

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MVSF2N02ELT1G.pdf

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MVSF2N02ELT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	MVSF2N02ELT1G
Numero di parte futuro	FT-MVSF2N02ELT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MVSF2N02ELT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 4V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 5V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVSF2N02ELT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MVSF2N02ELT1G-FT

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