casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MVGSF1N03LT1G
codice articolo del costruttore | MVGSF1N03LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MVGSF1N03LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MVGSF1N03LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 420mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MVGSF1N03LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MVGSF1N03LT1G-FT |
BSS84LT1G
ON Semiconductor
2V7002LT1G
ON Semiconductor
BSS138LT3G
ON Semiconductor
2N7002ET1G
ON Semiconductor
BSS123LT1G
ON Semiconductor
2N7002LT3G
ON Semiconductor
BSS138-F085
ON Semiconductor
NTR5103NT1G
ON Semiconductor
NTR4101PT1G
ON Semiconductor
NTR4501NT1G
ON Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel