casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / MV2N5116
codice articolo del costruttore | MV2N5116 |
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Numero di parte futuro | FT-MV2N5116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MV2N5116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6V @ 1nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Resistenza - RDS (On) | 100 Ohms |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N5116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV2N5116-FT |
2N4859JTX02
Vishay Siliconix
2N4859JTXL02
Vishay Siliconix
2N4859JTXV02
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2N4860JAN02
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2N4860JTX02
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2N4860JTXV02
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2N4861JAN02
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2N4861JTX02
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2N4861JTXL02
Vishay Siliconix
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS090-1FG256I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C7N
Intel
5SEEBF45I4N
Intel
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27E2LG
Intel
EPF10K130EBC356-3
Intel