casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / MV2N5114
codice articolo del costruttore | MV2N5114 |
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Numero di parte futuro | FT-MV2N5114 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MV2N5114 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 90mA @ 18V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 10V @ 1nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
Resistenza - RDS (On) | 75 Ohms |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N5114 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV2N5114-FT |
2N4859JAN02
Vishay Siliconix
2N4859JTX02
Vishay Siliconix
2N4859JTXL02
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2N4859JTXV02
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2N4860JAN02
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2N4860JTX02
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2N4860JTXL02
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2N4860JTXV02
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2N4861JAN02
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2N4861JTX02
Vishay Siliconix
XA2S50E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMA5K2F40C1N
Intel
5SEE9H40C2N
Intel
5SGXEA7H3F35C2
Intel
5SGXEA4K2F35I2L
Intel
ICE40LP4K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300ERC240-1X
Intel