casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / MV2N4857
codice articolo del costruttore | MV2N4857 |
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Numero di parte futuro | FT-MV2N4857 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV2N4857 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 100mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6V @ 500pA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
Resistenza - RDS (On) | 40 Ohms |
Potenza - Max | 360mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N4857 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV2N4857-FT |
2N4857JTXL02
Vishay Siliconix
2N4857JTXV02
Vishay Siliconix
2N4858JAN02
Vishay Siliconix
2N4858JTVP02
Vishay Siliconix
2N4858JTX02
Vishay Siliconix
2N4858JTXL02
Vishay Siliconix
2N4858JTXV02
Vishay Siliconix
2N4858JVP02
Vishay Siliconix
2N4859A
Central Semiconductor Corp
2N4859JAN02
Vishay Siliconix
A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
XA7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
EP3C10U256I7N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
EP2SGX60EF1152I4
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL400V2-CS196I
Microsemi Corporation
A3P1000L-1FGG144
Microsemi Corporation
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation