casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / MV2N4392
codice articolo del costruttore | MV2N4392 |
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Numero di parte futuro | FT-MV2N4392 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV2N4392 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | - |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistenza - RDS (On) | - |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N4392 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV2N4392-FT |
2N4856JAN02
Vishay Siliconix
2N4856JTX02
Vishay Siliconix
2N4856JTXL02
Vishay Siliconix
2N4856JTXV02
Vishay Siliconix
2N4857JAN02
Vishay Siliconix
2N4857JTX02
Vishay Siliconix
2N4857JTXL02
Vishay Siliconix
2N4857JTXV02
Vishay Siliconix
2N4858JAN02
Vishay Siliconix
2N4858JTVP02
Vishay Siliconix
EP4CGX110DF27I7N
Intel
EP4CGX110CF23C8
Intel
5SGXEA5N2F40I2LN
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC7VX1140T-2FLG1930C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel
EP2AGX95EF29C6
Intel
EP1C4F324C7
Intel