casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MV1N8181US
codice articolo del costruttore | MV1N8181US |
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Numero di parte futuro | FT-MV1N8181US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV1N8181US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8181US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV1N8181US-FT |
MSMLG45AE3
Microsemi Corporation
MSMLG48A
Microsemi Corporation
MSMLG48AE3
Microsemi Corporation
MSMLG51A
Microsemi Corporation
MSMLG51AE3
Microsemi Corporation
MSMLG51CA
Microsemi Corporation
MSMLG51CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG54A
Microsemi Corporation
MSMLG54AE3
Microsemi Corporation
MSMLG54CA
Microsemi Corporation
AT6005ALV-4AC
Microchip Technology
A1415A-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P060-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K1F40C2N
Intel
5SGXEA7N2F45C3N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
LFE3-70EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC208-3
Intel