casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MV1N8179US
codice articolo del costruttore | MV1N8179US |
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Numero di parte futuro | FT-MV1N8179US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV1N8179US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8179US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV1N8179US-FT |
MSMLG40CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG43CA
Microsemi Corporation
MSMLG43CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG45A
Microsemi Corporation
MSMLG45AE3
Microsemi Corporation
MSMLG48A
Microsemi Corporation
MSMLG48AE3
Microsemi Corporation
MSMLG51A
Microsemi Corporation
MSMLG51AE3
Microsemi Corporation
MSMLG51CA
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel