casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MV1N8154US
codice articolo del costruttore | MV1N8154US |
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Numero di parte futuro | FT-MV1N8154US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV1N8154US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8154US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV1N8154US-FT |
MSMCGLCE45A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60AE3
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel