casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MV1N8153US
codice articolo del costruttore | MV1N8153US |
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Numero di parte futuro | FT-MV1N8153US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV1N8153US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8153US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV1N8153US-FT |
MSMCGLCE43A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58AE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel