casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MV1N8152US
codice articolo del costruttore | MV1N8152US |
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Numero di parte futuro | FT-MV1N8152US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MV1N8152US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8152US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MV1N8152US-FT |
MSMCGLCE40A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE48AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE51AE3
Microsemi Corporation
EP20K60ETC144-3
Intel
LFE2-6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4003E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
EP20K400CF672C8AA
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABC356-1
Intel
EP4SGX360FF35C3
Intel