casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT30060R
codice articolo del costruttore | MURT30060R |
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Numero di parte futuro | FT-MURT30060R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT30060R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT30060R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT30060R-FT |
MBRT40080
GeneSiC Semiconductor
MBRT40080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT500100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT500150
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MBRT500150R
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MBRT50020
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MBRT500200
GeneSiC Semiconductor
MBRT500200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50030
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
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5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel